Samsung a annoncé le début de la production de masse de la mémoire DRAM DDR16 5 gigabits, qui utilise le processus technologique le plus avancé de l'industrie de la classe 12 nanomètres. L'achèvement du processus de production le plus moderne confirme une fois de plus le leadership de l'entreprise Samsung dans le domaine des technologies DRAM avancées.
Par rapport à la génération précédente, la nouvelle RAM Samsung La DRAM DDR5 de classe 12 nm réduit la consommation d'énergie de 23 % tout en augmentant les performances des tranches de 20 %. Son efficacité énergétique exceptionnelle en fait une solution idéale pour les entreprises informatiques mondiales qui cherchent à réduire la consommation d'énergie et l'empreinte carbone de leurs serveurs et centres de données.
développement Samsung La technologie de procédé 12 nm est rendue possible par l'utilisation d'un nouveau matériau à haute conductivité, qui contribue à augmenter la capacité des cellules. La capacité élevée conduit à une différence significative de potentiels électriques dans les signaux de données, ce qui facilite leur distinction précise. Les efforts de l'entreprise pour réduire la tension de fonctionnement et le bruit ont également contribué à créer la solution optimale dont les clients avaient besoin.
Avec une vitesse maximale de 7,2 gigabits par seconde, ce qui signifie que deux films UHD de 30 Go peuvent être traités en une seconde environ, la gamme DRAM DDR5 12 nm de Samsung prendra en charge une liste croissante d'applications, notamment les centres de données, l'intelligence artificielle et l'informatique de nouvelle génération.
En décembre dernier, Samsung a terminé les tests de compatibilité de sa DRAM DDR16 5 gigabits avec AMD et continue de travailler avec des sociétés informatiques mondiales pour stimuler l'innovation sur le marché de la DRAM de nouvelle génération.
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