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Le lancement de puces de mémoire discrète STT-MRAM de 1 Gbit (128 Mo) pour les applications aérospatiales vient d'être annoncé. Il s'agit d'une mémoire magnétorésistive plusieurs fois plus dense que celle proposée précédemment. La densité réelle de placement des éléments de mémoire STT-MRAM est multipliée par 64, si l'on parle des produits de la société Micross, qui produit des bourrages électroniques ultra-fiables pour les industries aérospatiale et de la défense.
Les puces STT-MRAM Micross sont basées sur la technologie de la société américaine Avalanche Technology. Avalanche a été fondée en 2006 par Peter Estakhri, natif de Lexar et Cirrus Logic. Outre Avalanche, Everspin et Samsung. Le premier travaille en coopération avec GlobalFoundries et se concentre sur la sortie de STT-MRAM embarquée et discrète avec des normes technologiques de 22 nm, et le second (Samsung) tout en libérant la STT-MRAM sous la forme de blocs de 28 nm intégrés aux contrôleurs. Un bloc de STT-MRAM d'une capacité de 1 Go, soit dit en passant, Samsung présentée il y a près de trois ans.
Le mérite de Micross peut être considéré comme la sortie d'une STT-MRAM discrète de 1 Gbit, qui est facile à utiliser dans l'électronique au lieu de la NAND-flash. La mémoire STT-MRAM fonctionne dans une plage de température plus large (de -40°C à 125°C) avec un nombre quasi infini de cycles de réécriture. Il ne craint pas les radiations et les changements de température et peut stocker des données dans des cellules jusqu'à 10 ans, sans parler de vitesses de lecture et d'écriture plus élevées et d'une consommation d'énergie moindre.
Rappelons que la mémoire STT-MRAM stocke les données dans des cellules sous forme d'aimantation. Cet effet a été découvert en 1974 lors du développement des disques durs chez IBM. Plus précisément, l'effet magnétorésistif a ensuite été découvert, qui a servi de base à la technologie MRAM. Bien plus tard, il a été proposé de modifier l'aimantation de la couche mémoire en utilisant l'effet de transfert de spin électronique (moment magnétique). Ainsi, l'abréviation STT a été ajoutée au nom MRAM. La direction de la spintronique en électronique est basée sur le transfert de spin, ce qui réduit considérablement la consommation de puces en raison des courants extrêmement faibles dans le processus.
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