L'autre jour, le vice-président de la division Samsung de la fabrication sous contrat de puces Jeon Gi-tae dans une interview avec la publication The Elec signalé, que dans le futur processus technologique SF1.4 (classe 1,4 nm), le nombre de canaux dans les transistors passera de trois à quatre, ce qui apportera des avantages tangibles en termes de performances et de consommation d'énergie. Cela se produira trois ans après la sortie de transistors similaires d'Intel, ce qui obligera Samsung rattraper le concurrent.
Compagnie Samsung a été le premier à produire des transistors avec une grille qui entoure complètement les canaux des transistors (SF3E). Cela s'est produit il y a plus d'un an et est utilisé de manière assez sélective. Par exemple, ce type de processus en 3 nm est utilisé pour produire des puces destinées aux mineurs de crypto-monnaie. Les canaux des transistors du nouveau processus technologique sont de fines nanofeuilles placées les unes au-dessus des autres. Dans les transistors Samsung trois de ces canaux, qui sont entourés d'une grille sur les quatre côtés et donc le courant les traverse sous un contrôle précis avec une fuite minimale.
Intel, au contraire, commencera à produire ses premiers transistors avec des canaux nanofeuilles en 2024 en utilisant le procédé RibbonFET Gate-All-Around (GAA) de 2 nm. Dès le départ, ils disposeront chacun de quatre canaux de nanofeuilles. Cela signifie que les transistors GateGAA d'Intel seront plus efficaces que des transistors similaires. Samsung, sera capable de faire passer un courant plus élevé et sera plus économe en énergie que les transistors du concurrent sud-coréen. Cela durera environ trois ans jusqu'à ce que Samsung ne commencera pas à produire des puces selon le procédé technique SF1.4, ce qui est attendu en 2027. Comme on le sait maintenant, elles deviendront également « à quatre feuilles » - elles recevront chacune quatre canaux au lieu de trois aujourd'hui.
Que ce soit une autre affaire Samsung est-il réellement en retard sur Intel en termes de fabricabilité ? D’ici là, la société sud-coréenne aura cinq ans d’expérience dans la production de masse de transistors GAA, tandis qu’Intel restera un nouveau venu. Et avec la production de tels transistors, tout n'est guère simple, car Samsung utilise ce procédé technique de manière très, très sélective. Quoi qu’il en soit, le passage à une nouvelle architecture de transistors constituera une avancée significative pour l’industrie des semi-conducteurs et permettra de franchir la barrière au-delà de laquelle la production traditionnelle de semi-conducteurs ne sera plus à la pointe du progrès avant quelques années encore. .
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