Samsung Electronique a l'intention de libérer 1 To de mémoire DDR5 dans un seul module grâce à une percée dans la fabrication de DRAM.
Entreprise sud-coréenne développé la première RAM DDR32 de 5 gigabits (Go) de l'industrie de la mémoire avec la capacité la plus élevée, utilisant un processus de 12 nm. Grâce à ça Samsung sera capable de produire des modules de mémoire DDR5 de 1 To, mais le passage à 32 Go de DRAM présente un autre avantage. Par rapport aux modules DRAM DDR5 de 16 Go existants fabriqués selon le procédé 12 nm, la consommation électrique des modules de 128 Go sera réduite de 10 %.
Selon Sang-Joon Hwan, vice-président des produits et technologies DRAM chez Samsung L'électronique, dans un premier temps les principaux consommateurs de cette mémoire seront les centres de données, l'intelligence artificielle et le big data : « Grâce à nos 32 gigaoctets de mémoire DRAM de classe 12 nm, nous avons obtenu une solution qui nous permettra de créer des modules DRAM avec une volume allant jusqu'à 1 To, ce qui nous permettra d'être idéalement positionnés pour répondre au besoin croissant de RAM de haute capacité à l'ère de l'IA (intelligence artificielle) et du big data… Nous continuerons à développer des solutions DRAM en utilisant des processus de fabrication différenciés et concevoir des technologies pour repousser les limites de la technologie de la mémoire.
Plus de mémoire dans moins d'espace et avec moins de consommation d'énergie sera toujours populaire auprès des opérateurs de centres de données. Cependant, cette technologie mémoire devrait à terme migrer vers les modules DDR5 utilisés dans nos PC de bureau et portables. Actuellement, les kits de mémoire de 192 Go composés de quatre modules semblent être le niveau le plus élevé pour les consommateurs.
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