TSMC, le plus grand fabricant sous contrat de produits semi-conducteurs, selon la source, a commencé la construction d'un complexe de production où il est prévu de maîtriser le processus technologique à 2 nanomètres. Le complexe comprend un centre de R&D et une usine de production. Les nouvelles installations seront situées près du siège social de la société dans le parc scientifique de Hsinchu, à Taïwan.
Selon les données préliminaires, la technologie Gate-All-Around (GAA) sera utilisée dans le procédé à 2 nanomètres. Dans le même temps, le constructeur a commencé à planifier le développement d'un procédé technique de 1 nanomètre.
Parallèlement aux technologies de production de cristaux, l'entreprise améliore ses technologies d'emballage. Il prévoit d'accélérer l'adoption de technologies d'emballage avancées telles que SoIC, InFO, CoWoS et WoW. Tous sont classés par TSMC en tant que tissu 3D, bien que certains d'entre eux se réfèrent à 2.5D. Ces technologies seront mises en production de masse sur les lignes ZhuNan et NanKe au second semestre 2021.
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