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Micron Technology a annoncé le début de la production en série et la livraison de puces mémoire DDR16 de 5 gigabits fabriquées selon le processus technologique le plus avancé du fabricant - 1β (1-beta). Sur la base de cette mémoire, des modules RAM peuvent être créés pour des serveurs et des ordinateurs personnels avec une vitesse allant jusqu'à 7200 XNUMX MT/s.
Compagnie déclare, que la transition vers le processus 1β avec la technologie avancée High-K CMOS, la régulation de fréquence d'horloge à quatre phases et la synchronisation d'horloge a permis une augmentation de 50 % des performances et une augmentation de 33 % de l'efficacité énergétique par watt par rapport à la génération précédente de mémoire .
À mesure que le nombre de cœurs de processeur augmente pour répondre aux demandes croissantes des charges de travail des centres de données, le besoin de mémoire de plus grande capacité et à large bande passante augmente également. La mémoire DRAM DDR5 jusqu'à 7200 1 MT/s basée sur la technologie de processus XNUMXβ de Micron permet un calcul évolutif avec des performances plus élevées pour des domaines tels que l'apprentissage et l'intégration de l'intelligence artificielle (IA), l'IA générative, l'analyse de données et les bases de données en mémoire (IMDB) dans les centres de traitement de données. et sur les plateformes clients.
Les nouvelles puces mémoire de Micron sont disponibles en capacités de 16, 24 et 32 Gbits (2, 3 et 4 Go) et offrent des vitesses de fonctionnement de 4800 7200 à 1 5 MT/s. La nouvelle mémoire sera disponible à la fois dans les segments serveur et grand public. Micron prévoit d'étendre l'utilisation du procédé 7β avancé à la production de cristaux de mémoire LPDDR3x, GDDRXNUMX et même HBMXNUMXe, note le fabricant.
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